一、基本信息：
姓 名 | 张永春 | 性 别 | 男 | 民族 | 汉 | |
出生年月 | 1978.10 | 党政职务 | 无 | |||
学历学位 | 博士研究生 | 职 称 | 副教授 | |||
研究方向 | 功能薄膜与纳米器件构筑 | |||||
主讲课程 | 《大学物理》、《大学物理实验》 | |||||
二、学习工作经历：
1997.09 - 2001.07 安徽师范大学 物理学教育专业 理学学士 学习；
2001.07 - 现在 best365网页版登录官网 best365网页版登录官网 工作。
其中：
2005.3 - 2008.01 安徽大学 计算机应用技术专业 工学硕士 学习；
2018.9 - 2021.12 安徽大学 材料科学与工程专业 工学博士 学习。
三、主要研究项目、论文、知识产权、成果、获奖情况
教学质量工程项目：
1.best365网页版登录官网教学研究项目，过程考核在应用型本科院校大学物理课程教学中应用研究，2018jyy014（主持）
2. best365网页版登录官网课程综合改革项目，大学物理实验课程信息化建设，2019kcgg306（主持）
3.best365网页版登录官网规划教材建设，大学物理实验，2021ghjc08（主持）
（二）科研项目：
1.光栅光谱仪在光谱分析中的应用研究. 2006年，best365网页版登录官网自然科学研究项目，2006kyy003.（主持）
2．铟镓锌氧薄膜晶体管. 2017年，高校优秀青年骨干人才国内访学研修项目，gxfx2017119.（主持）
3．基于铪基高K栅介质的非晶IGZO薄膜晶体管低温全溅射法制备及逻辑电路应用研究. 2021年，安徽省高校自然科学研究重点项目，KJ2021A1088.（主持）
（三）科研论文
1. Y.C. Zhang, G. He, C. Zhang, L. Zhu, B. Yang, Q.B. Lin, X.S. Jiang. Oxygen partial pressure ratio modulated electrical performance of amorphous InGaZnO thin film transistor and inverter. Journal of Alloys and Compounds, 2018, 765: 791-799
2. Yongchun Zhang, Gang He, Wenhao Wang, Bing Yang, Chong Zhang, Yufeng Xia. Aqueous-solution-driven HfGdOx gate dielectrics for low-voltage-operated α-InGaZnO transistors and inverter circuits. Journal of Materials Science & Technology, 2020, 50(15): 1-12
3. Yongchun Zhang, Yangjian Lin, Gang He, Binghui Ge, and Wenjun Liu. Balanced Performance Improvement of a InGaZnO Thin-Film Transistors Using ALD-Derived Al2O3 Passivated High k HfGdOx Dielectrics. ACS Applied Electronic Materials. 2020, 2(11): 3728-3740
4. Yongchun Zhang, Gang He, Leini Wang, Wenhao Wang, Xiaofen Xu, and Wenjun Liu. Ultraviolet-Assisted Low-Thermal-Budget-Driven α InGaZnO Thin Films for High-Performance Transistors and Logic Circuits. ACS Nano, 2022, 16(3): 4961−4971
（四）知识产权
一种无链自行车、实用新型、2015.1、第1
一种桌子、实用新型、2015.1、第1